STGIPL14K60
- ПроизводительSTMicroelectronicst
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 44 W
- Упаковка / блок SDIP-38L
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube