APTGT400U170D4G

• ПроизводительMicrochip / Microsemit
• DatasheetСкачать

• Технология -
• Продукт IGBT Silicon Modules
• Конфигурация Single
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 800 A
• Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
• Pd - рассеивание мощности 2.08 kW
• Упаковка / блок D4-5
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 125 C
• Квалификация -
• Упаковка Bulk