APT100GN120J
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 153 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 446 W
- Упаковка / блок SOT-227-4
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube