STGIPL30C60-H
- ПроизводительSTMicroelectronicst
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Квалификация -
- Упаковка -