APTGT30A170T1G

• ПроизводительMicrochip / Microsemit

• Технология -
• Продукт IGBT Silicon Modules
• Конфигурация Dual
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A
• Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
• Pd - рассеивание мощности 210 W
• Упаковка / блок SP1-12
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 100 C
• Квалификация -
• Упаковка Tube