MG17300WB-BN4MM
- ПроизводительLittelfuset
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Half Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 375 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 1650 W
- Упаковка / блок Package WB
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk