APTGLQ200HR120G

• ПроизводительMicrochip / Microsemit

• Технология -
• Продукт IGBT Silicon Modules
• Конфигурация Dual Common Emitter
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV, 600 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V, 1.5 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A, 150 A
• Ток утечки затвор-эмиттер 480 nA, 400 nA
• Pd - рассеивание мощности 1 kW, 340 W
• Упаковка / блок SP6
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 100 C
• Квалификация -
• Упаковка Tube