APTGL240TL120G

• ПроизводительMicrochip / Microsemit

• Технология -
• Продукт IGBT Silicon Modules
• Конфигурация -
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 305 A
• Ток утечки затвор-эмиттер -
• Pd - рассеивание мощности 1 kW
• Упаковка / блок SP6
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 100 C
• Квалификация -
• Упаковка Tube