APTGLQ25H120T2G

• ПроизводительMicrochip / Microsemit

• Технология -
• Продукт IGBT Silicon Modules
• Конфигурация Quad
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V
• Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
• Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
• Pd - рассеивание мощности 165 W
• Упаковка / блок SP2
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 125 C
• Квалификация -
• Упаковка Bulk