MJE803G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 100 uA
- Pd - рассеивание мощности 40 W
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-225
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJE802
- Квалификация -
- Упаковка Bulk