NJD35N04T4G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
- Максимальный ток отсечки коллектора -
- Pd - рассеивание мощности 45 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-252-3 (D-PAK)
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия NJD35N04
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel