BA12003DF-ZE2
- ПроизводительROHM Semiconductort
Технические характеристики
- Конфигурация Array 7
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Максимальный ток отсечки коллектора -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOP-J16A
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel