BDW42G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 15 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA
- Pd - рассеивание мощности 85 W
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BDW42
- Квалификация -
- Упаковка Tube