MJD117-1G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA
- Pd - рассеивание мощности 20 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK-3
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD117
- Квалификация -
- Упаковка Tube