NJVMJD32CT4G

• ПроизводительON Semiconductort
• DatasheetСкачать

• Конфигурация Single
• Полярность транзистора PNP
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
• Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
• Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
• Максимальный постоянный ток коллектора -
• Максимальный ток отсечки коллектора 50 uA
• Pd - рассеивание мощности 15 W
• Вид монтажа SMD/SMT
• Упаковка / блок DPAK
• Минимальная рабочая температура - 65 C
• Максимальная рабочая температура + 150 C
• Серия MJD32C
• Квалификация AEC-Q101
• Упаковка Cut Tape, Reel