TS13002ACT B0G
- ПроизводительTaiwan Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология Through Hole
- Вид монтажа TO-92-3
- Упаковка / блок NPN
- Полярность транзистора Single
- Конфигурация 400 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 700 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 9 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 0.2 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 A
- Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 W
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 4 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия TS13002ACT