2N2219
- ПроизводительCentral Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-39-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 0.8 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N2219