2N3055AG
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-204-2
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 200 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.1 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 15 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 6 MHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2N3055A