TSC136CZ C0G
- ПроизводительTaiwan Semiconductort
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 9 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 4 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -