SBCP68T1G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-223-4
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 60 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BCP68