2N5333

• ПроизводительCentral Semiconductort

• Технология Si
• Вид монтажа Through Hole
• Упаковка / блок TO-39-3
• Полярность транзистора PNP
• Конфигурация Single
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
• Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
• Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
• Максимальный постоянный ток коллектора -
• Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 30 MHz
• Минимальная рабочая температура - 65 C
• Максимальная рабочая температура + 200 C
• Серия 2N5333