2N5551-AP
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-92-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия 2N55
Пролистать наверх