VT6Z2T2R

• ПроизводительROHM Semiconductort

• Технология Si
• Вид монтажа SMD/SMT
• Упаковка / блок VMT-6
• Полярность транзистора NPN, PNP
• Конфигурация Dual
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
• Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
• Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.1 V, - 0.15 V
• Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
• Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz, 300 MHz
• Минимальная рабочая температура - 55 C
• Максимальная рабочая температура + 150 C
• Серия VT6Z2