2N3860
- ПроизводительCentral Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.125 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 90 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N3860