2N1131A
- ПроизводительCentral Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-39-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 90 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N657