2N3467L

• ПроизводительMicrochip / Microsemit

• Технология Si
• Вид монтажа Through Hole
• Упаковка / блок TO-5-3
• Полярность транзистора PNP
• Конфигурация Single
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
• Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
• Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 350 mV
• Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
• Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
• Минимальная рабочая температура - 55 C
• Максимальная рабочая температура + 175 C
• Серия -