SBC848BLT1G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок -
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BC848BL