SBC847BDW1T1G
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BC847BDW1