2DB1386R-13
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-89-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 20 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 30 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 250 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 5 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия 2DB13
Пролистать наверх