2DB1188R-13
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-89-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 800 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия 2DB11
Пролистать наверх