2N3019/TR

• ПроизводительMicrochip / Microsemit
• DatasheetСкачать

• Технология Si
• Вид монтажа Through Hole
• Упаковка / блок TO-39-3
• Полярность транзистора NPN
• Конфигурация Single
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
• Напряжение коллектор-база (VCBO) 140 V
• Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
• Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
• Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
• Минимальная рабочая температура - 65 C
• Максимальная рабочая температура + 200 C
• Серия -