PBSS5540Z,115
Технические характеристики
  • Технология SMD/SMT
  • Вид монтажа SOT-223-3
  • Упаковка / блок PNP
  • Полярность транзистора Single
  • Конфигурация 40 V
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 6 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 A
  • Максимальный постоянный ток коллектора 2000 mW
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия -
Пролистать наверх