MMRF5014H-500MHZ
Технические характеристики
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Технология GaN SiC
  • Id - непрерывный ток утечки 350 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 18 dB
  • Выходная мощность 125 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI-360H-2SB
  • Упаковка -
Пролистать наверх