VRF150
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 16 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 180 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 18 dB
- Выходная мощность 150 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок -
- Упаковка Box