PD85025TR-E
- ПроизводительSTMicroelectronicst
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 7 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 15.7 dB
- Выходная мощность 25 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerSO-10RF-Formed-4
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel