MRF8VP13350NR3
Технические характеристики
  • Полярность транзистора Dual N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 1.3 A
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 100 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 19.2 dB
  • Выходная мощность 350 W
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок OM-780-4
  • Упаковка Reel
Пролистать наверх