A3T19H455W23SR6
Технические характеристики
  • Полярность транзистора Dual N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 3.6 A
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 65 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 16.4 dB
  • Выходная мощность 81 W
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок ACP-1230S-4L2S
  • Упаковка Reel
Пролистать наверх