MRF085HR3

• ПроизводительNXP Semiconductorst

• Полярность транзистора Dual N-Channel
• Технология Si
• Id - непрерывный ток утечки 210 mA
• Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 133 V
• Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
• Усиление 25.6 dB
• Выходная мощность 85 W
• Минимальная рабочая температура - 40 C
• Максимальная рабочая температура + 150 C
• Вид монтажа SMD/SMT
• Упаковка / блок NI-650H-4
• Упаковка Reel