MRF1K50N-TF4
Технические характеристики
  • Полярность транзистора Dual N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 100 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 133 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 23 dB
  • Выходная мощность 1.5 kW
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 105 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок OM-1230-4
  • Упаковка -
Пролистать наверх