CGHV60075D5
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN
  • Усиление 17 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 150 V
  • Id - непрерывный ток утечки 10 A
  • Выходная мощность 75 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности 41.6 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок Die
  • Упаковка Gel Pack
Пролистать наверх