CGHV35060MP
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN
  • Усиление 14.5 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 10.4 A
  • Выходная мощность 75 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор 50 V
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 107 C
  • Pd - рассеивание мощности 52 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок -
  • Упаковка Reel
Пролистать наверх