2N3669
- ПроизводительCentral Semiconductort
Технические характеристики
- Серия 2N3669
- Ток включения (IBO), макс. -
- Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM)200 V
- Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM 2 mA
- Действующее значение тока во включенном состоянии - It RMS -
- Vf - прямое напряжение 1.8 V
- Максимальное обратное напряжение затвора -
- Отпирающее напряжение управления - Vgt 2 V
- Отпирающий ток управления - Igt 40 mA
- Максимальный ток удержания Ih 50 mA
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3 50MIL
- Квалификация -
- Упаковка Tube