VNS3NV04DP-E
- ПроизводительSTMicroelectronicst
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Продукт MOSFET Gate Drivers
- Тип Low Side
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SO-8
- Количество драйверов -
- Количество выходов -
- Выходной ток -
- Конфигурация Dual
- Время нарастания 250 ns
- Время спада 250 ns
- Напряжение питания - мин. 40 V
- Напряжение питания - макс. 55 V
- Задержка распространения - макс. -
- Рабочий ток источника питания 100 uA
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия VNS3NV04DP-E
- Квалификация AEC-Q100
- Упаковка Tube