JAN1N4970C
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 33 V
- Вид монтажа Axial
- Упаковка / блок E-Package-2
- Pd - рассеивание мощности 5 W
- Допустимое отклонение напряжения 2 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.095 %/C
- Зенеровский ток 144 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 10 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 40 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -