MM3Z3V9ST1G
- ПроизводительON Semiconductort
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 3.9 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOD-323-2
- Pd - рассеивание мощности 300 mW
- Допустимое отклонение напряжения 2 %
- Температурный коэффициент напряжения - 2.5 mV/K
- Зенеровский ток 3 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 90 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия MM3Z3V9S