GDZT2R8.2
- ПроизводительROHM Semiconductort
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 7.45 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок GMD-2
- Pd - рассеивание мощности 100 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток -
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия GDZ8.2