KDZTR10B
- ПроизводительROHM Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 10.31 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOD-123-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 6.9 mV/deg C
- Зенеровский ток 40 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 40 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия KDZ 10B