C1Z180B TR
- ПроизводительCentral Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 180 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-41-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 5.6 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 1.2 kOhms
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия C1Z180