BZX585B12 RSG
- ПроизводительTaiwan Semiconductort
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 12 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOD-523F-2
- Pd - рассеивание мощности 200 mW
- Допустимое отклонение напряжения 2 %
- Температурный коэффициент напряжения 6 mV/C to 10 mV/C
- Зенеровский ток 0.09 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 25 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия -