BZT55B3V6 L1
- ПроизводительTaiwan Semiconductort
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 3.6 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Mini-MELF
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 2 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 2 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 85 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 2 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия BZT55B